IKQ50N120CH3XKSA1, Транзистор IGBT 1200В 100A 652Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 600 руб.
от 2 шт. —
1 520 руб.
от 4 шт. —
1 440 руб.
от 8 шт. —
1 360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Транзистор IGBT 1200В 100A 652Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Channel Type | N | |
Collector Current (DC) | 100(A) | |
Configuration | Single | |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) | |
Mounting | Through Hole | |
Operating Temperature (Max) | 175C | |
Operating Temperature (Min) | -40C | |
Operating Temperature Classification | AUTOMOTIVEC | |
Package Type | TO-247 | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3+Tab | |
Rad Hardened | No | |
Brand: | Infineon Technologies | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A | |
Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA | |
Manufacturer: | Infineon | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -40 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package / Case: | TO-247-3 | |
Packaging: | Tube | |
Part # Aliases: | IKQ50N120CH3 SP001272708 | |
Pd - Power Dissipation: | 652 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Series: | IGBT HighSpeed 3 | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | TRENCHSTOP | |
Вес, г | 8.97 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов