Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSH201,215, Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin ...

BSH201,215, Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

417000 шт., срок 6-8 недель

23 руб.

Кратность заказа 3000 шт.

от 6000 шт. — 22 руб.

Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 69 000 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003309798

Артикул: BSH201,215

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -190мА, 170мВт, SOT23

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	300 mA
Pd - рассеивание мощности	417 mW
Qg - заряд затвора	3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.5 ns
Время спада	20 ns
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	934054717215
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel MOS Transistor
Типичное время задержки выключения	45 ns
Типичное время задержки при включении	2 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	300mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	417mW
Rds On - Drain-Source Resistance	2.5О© @ 160mA,10V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	1V @ 1mAпј€Minпј‰
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	300 mA
Maximum Drain Source Resistance	2.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.9V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	417 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	3 nC @ 10 V
Width	1.4mm
Вес, кг	16.3