NSBC114YPDXV6T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
от 12000 шт. —
15 руб.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 64 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.55 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80, 140 |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | NSBC114YPDXV6 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.21 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Ширина | 1.2 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 287 КБ
Основные размеры SMD-компонентов
pdf, 186 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Чип резисторы (SMD, для поверхностного монтажа)»