2N2907A, Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 300 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 1 070 руб.

от 100 шт. — 969 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 6 500 руб.

Номенклатурный номер: 8031829665

Артикул: 2N2907A

Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	600 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-18-3

Мы рекомендуем