2N7002K-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 руб.

Мин. кол-во для заказа 6000 шт.

Кратность заказа 3000 шт.

от 27000 шт. — 7.30 руб.

Добавить в корзину 6000 шт. на сумму 48 000 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003813296

Артикул: 2N7002K-T1-GE3

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 0.3A SOT23

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	300mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	350mW
Rds On - Drain-Source Resistance	2О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.5V @ 250uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	300 mA
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	350 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.4 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, кг	197