Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2SC5994-TD-E

2SC5994-TD-E

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 130 руб.

от 10 шт. — 101 руб.

от 96 шт. — 80.88 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 360 руб.

Номенклатурный номер: 8003893874

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

TRANSISTOR, NPN, 50V, 2A, SOT-89-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:420MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transist

Технические параметры

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	135 mV
Configuration	Single
Continuous Collector Current	2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	200
DC Current Gain hFE Max	560
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product fT	420 MHz
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	PCP-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	3.5 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	2SC5994
Transistor Polarity	NPN
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.75
PCB changed	3
Package Height	1.5
Mounting	Surface Mount
Lead Shape	Flat
Tab	Tab
Package Width	2.5
Package Length	4.5
Type	NPN
Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	50
Maximum Emitter Base Voltage (V)	6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.2@50mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.3@50mA@1A
Maximum DC Collector Current (A)	2
Minimum DC Current Gain	40@1.5A@2V\|200@100mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW)	1300
Maximum Transition Frequency (MHz)	420(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Supplier Package	SOT-89
Pin Count	4
Standard Package Name	SOT
Military	No
Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	135 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	420 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SC5994
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	PCP-3
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	2 A
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	1 MHz
Maximum Power Dissipation	3.5 W
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	PCP
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.4