HGTP3N60A4D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 руб.
от 2 шт. —
720 руб.
от 5 шт. —
637 руб.
от 10 шт. —
596.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Описание
Электроэлемент
Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A, 600V, N-Channel, TO-220AB
Технические параметры
| Вес, г | 2.7 |
Техническая документация
Datasheet HGT1S3N60A4DS, HGTP3N60A4D
pdf, 115 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
