SQM40010EL-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 280 000 руб.
Описание
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, 120A, TO263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00121ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:375W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.00121Ом |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00121Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17100pF @ 20V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Supplier Device Package | DВІPAK(TO-263) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 214 КБ
Документация
pdf, 197 КБ
