RRR030P03TL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
188 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
79 руб.
от 10 шт. —
69 руб.
от 100 шт. —
57.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -30V, -3A, TSMT, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-3A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):0.055ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-2.5V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-346T-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | RRR030P03 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1596 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
