NTE2973, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 14А, Idm: 42А, 275Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 шт., срок 7 недель
4 730 руб.
от 3 шт. —
4 170 руб.
от 10 шт. —
3 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 730 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 14А, Idm: 42А, 275Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 14A |
| Drain-source voltage | 900V |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.63Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 275W |
| Pulsed drain current | 42A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 4.86 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 56 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
