RD35HUP2-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 руб.
от 2 шт. —
1 760 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 830 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
Технические параметры
Корпус | ceramic | |
Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов