SI2302CDS-T1-E3, Транзистор полевой N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 57 шт. —
35 руб.
от 113 шт. —
33 руб.
от 225 шт. —
30 руб.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 484 руб.
Посмотреть аналоги4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Технические параметры
| Корпус | SOT-23-3L | |
| EU RoHS | Compliant | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Part Status | Active | |
| HTS | 8541.21.00.95 | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Configuration | Single | |
| Process Technology | TrenchFET | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 | |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.85 | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.6 | |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 | |
| Maximum IDSS (uA) | 0.1 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 57@4.5V | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.5@4.5V | |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 0.45 | |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 0.6 | |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 2 | |
| Typical Output Capacitance (pF) | 40 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 860 | |
| Typical Fall Time (ns) | 7 | |
| Typical Rise Time (ns) | 7 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Automotive | No | |
| Pin Count | 3 | |
| Supplier Package | SOT-23 | |
| Standard Package Name | SOT-23 | |
| Military | No | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Package Height | 1.02(Max) | |
| Package Length | 3.04(Max) | |
| Package Width | 1.4(Max) | |
| PCB changed | 3 | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 710 mW | |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 7 ns | |
| Время спада | 7 ns | |
| Высота | 1.45 mm | |
| Длина | 2.9 mm | |
| Другие названия товара № | SI2302CDS-E3 | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Серия | SI2 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns | |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.6 mm | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 219 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
