2N4240, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
11 420 руб.
от 25 шт. —
9 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 420 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 500 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 300 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
