MSC040SMA120B, MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247

Фото 1/2 MSC040SMA120B, MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 630 руб.
от 30 шт.5 070 руб.
от 120 шт.4 410 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 630 руб.
Номенклатурный номер: 8004581688
Артикул: MSC040SMA120B

Описание

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор UNRLS, FG, SIC МОП-транзистор, TO-247

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки: 62 A
Pd - рассеивание мощности: 311 W
Qg - заряд затвора: 140 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток: - 10 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.8 V
Вид монтажа: Through Hole
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Производитель: Microchip
Размер фабричной упаковки: 1
Технология: SiC
Тип продукта: MOSFET
Торговая марка: Microchip / Microsemi
Упаковка / блок: TO-247-3
Упаковка: Tube
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 46 A
Maximum Drain Source Voltage 1200 V
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Transistor Material SiC
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 3715 КБ
Datasheet MSC040SMA120B
pdf, 1239 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов