MSC040SMA120B, MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 630 руб.
от 30 шт. —
5 070 руб.
от 120 шт. —
4 410 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 630 руб.
Описание
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор UNRLS, FG, SIC МОП-транзистор, TO-247
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки: | 62 A |
Pd - рассеивание мощности: | 311 W |
Qg - заряд затвора: | 140 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 50 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 1.2 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.8 V |
Вид монтажа: | Through Hole |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Производитель: | Microchip |
Размер фабричной упаковки: | 1 |
Технология: | SiC |
Тип продукта: | MOSFET |
Торговая марка: | Microchip / Microsemi |
Упаковка / блок: | TO-247-3 |
Упаковка: | Tube |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 46 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Transistor Material | SiC |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3715 КБ
Datasheet MSC040SMA120B
pdf, 1239 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары