STGWA40H65DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
568 шт., срок 7-9 недель
1 020 руб.
от 10 шт. —
800 руб.
от 25 шт. —
708 руб.
от 100 шт. —
563.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 283 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGWA40H65DFB |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 511 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары