STGWA40H65DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

STGWA40H65DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
568 шт., срок 7-9 недель
1 020 руб.
от 10 шт.800 руб.
от 25 шт.708 руб.
от 100 шт.563.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 020 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004583846
Артикул: STGWA40H65DFB
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Continuous Collector Current Ic Max: 80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Gate-Emitter Leakage Current: +/-250 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 283 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGWA40H65DFB
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 511 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.