CDM7-650 TR13 PBFREE, MOSFET 650V N-Ch PFC FET 30Vgs 5.0nC 1.35Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2206 шт., срок 7-9 недель
460 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
258 руб.
от 500 шт. —
204.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETsCentral Semiconductor CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs are designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. These MOSFETs combine high voltage capability with low R DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency. These devices are offered in through-hole and surface mount.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 3.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 969 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
