CMLDM3737 TR PBFREE, MOSFET 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 540mA 350mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
341911 шт., срок 7-9 недель
94 руб.
от 10 шт. —
82 руб.
от 100 шт. —
62 руб.
от 500 шт. —
51.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 94 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETsCentral Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R DS(ON) and low threshold voltage.
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 540 mA |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 1.58 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
Series: | CMxxDM |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.