FS150R12KT4_B11, IGBT Modules N-CH 1.2KV 150A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

47 510 руб.

от 10 шт. — 30 570 руб.

от 20 шт. — 29 420 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 47 510 руб.

Номенклатурный номер: 8004615373

Артикул: FS150R12KT4_B11

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 150A

Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	17 mm
Длина	122 mm
Другие названия товара №	FS150R12KT4B11BOSA1 SP000369616
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	150 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Econo 3
Ширина	62 mm