AIKW30N60CTXKSA1, IGBT Transistors DISCRETES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 руб.
от 10 шт. —
1 560 руб.
от 25 шт. —
1 420 руб.
от 100 шт. —
1 142.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 830 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | AIKW30N60CT SP001346786 |
Pd - Power Dissipation: | 187 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | 600V TRENCHSTOP |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 187 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 6.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары