BSC018NE2LS, MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
190 руб.
от 500 шт. —
157.39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 69 W |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4.4 ns |
| Время спада | 3.6 ns |
| Высота | 1.27 mm |
| Длина | 5.9 mm |
| Другие названия товара № | BSC018NE2LSATMA1 BSC18NE2LSXT SP000756336 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single Quad Drain |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 140 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
| Вес, г | 8 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
