BSC019N02KS G, MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

630 руб.

от 10 шт. — 490 руб.

от 100 шт. — 370 руб.

от 250 шт. — 318.32 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.

Номенклатурный номер: 8004635315

Артикул: BSC019N02KS G

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2

Id - непрерывный ток утечки	30 A
Pd - рассеивание мощности	2.8 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.95 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	187 ns
Время спада	8 ns
Высота	1.27 mm
Длина	5.9 mm
Другие названия товара №	SP000307376 BSC19N2KSGXT BSC019N02KSGAUMA1
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS 2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	95 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TDSON-8
Чувствительный к влажности	Yes
Ширина	5.15 mm
Вес, г	59

pdf, 663 КБ

Мы рекомендуем