BSC0302LSATMA1, MOSFET TRENCH =100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
419 руб.
от 250 шт. —
378.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETsInfineon Technologies OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs are ideal for USB-PD and fast-charger designs, supporting short lead times and fast-quote response times. The logic-level MOSFETs in PQFN 3.3mm x 3.3mm and in SuperSO8 packages have been optimized for synchronous rectification in charger and adapter 25V to 150V SMPS applications. The logic-level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th) ) allowing low- and medium-voltage MOSFETs to be driven from 4.5V or directly from microcontrollers leading to a lower part count in the application.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 99 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC0302LS SP004486450 |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 79 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0065Ом |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Непрерывный Ток Стока | 99А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0065Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1398 КБ
Datasheet BSC0302LSATMA1
pdf, 1338 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
