FP10R12W1T4PBPSA1, IGBT Modules EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 500 руб.
от 10 шт. —
10 230 руб.
от 30 шт. —
9 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 500 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Другие названия товара № | FP10R12W1T4P SP001585450 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | EasyPIM |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Base Product Number | FP10R12 -> |
Configuration | Three Phase Inverter |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Three Phase Bridge Rectifier |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
Package | Tray |
Package / Case | Module |
Power - Max | 20mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | EasyPIMв„ў 1B -> |
Supplier Device Package | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 10А |
DC Ток Коллектора | 10А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 765 КБ
Datasheet FP10R12W1T4PBPSA1
pdf, 716 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары