FS820R08A6P2LBBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
131 000 руб.
от 12 шт. —
119 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 131 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Приводные модули HybridPACK™ 750 ВПриводные модули Infineon 750 В HybridPACK™ представляют собой очень компактные силовые модули, оптимизированные для применения в гибридных и электрических транспортных средствах (xEV). HybridPACK Drive поставляется с механическими направляющими элементами, облегчающими процесс сборки. Кроме того, запрессовываемые контакты для сигнальных клемм позволяют избежать трудоемких процессов селективной пайки, что обеспечивает экономию средств на уровне системы и повышает ее надежность.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 750 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.1 V |
Configuration: | 6-Pack |
Continuous Collector Current at 25 C: | 450 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 6 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | FS820R08A6P2LB SP001611366 |
Pd - Power Dissipation: | 714 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | IGBT EDT2 |
Subcategory: | IGBTs |
Tradename: | HybridPACK PressFIT |
Base Product Number | FS820R08 -> |
Configuration | Three Phase Inverter |
Current - Collector (Ic) (Max) | 820A |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | No |
Operating Temperature | 175В°C (TJ) |
Package | Tray |
Package / Case | Module |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | Module |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 750 V |
Maximum Continuous Collector Current | 820 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 6 |
Package Type | AG-HYBRIDD-1 |
Pin Count | 33 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet FS820R08A6P2LBBPSA1
pdf, 7717 КБ
Datasheet FS820R08A6P2LBBPSA1
pdf, 7718 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары