2SA1552S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
154 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | -180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | -160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | -200 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 1.5 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | -6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 700 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | -1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2SA1552 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet 2SA1552S-H
pdf, 314 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
