Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › TOREX › XP161A1265PR-G, MOSFET Power MOSFET, 20V, 4A ...

XP161A1265PR-G, MOSFET Power MOSFET, 20V, 4A, N-Type, SOT-89

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1767 шт., срок 6-8 недель

250 руб.

от 10 шт. — 190 руб.

от 100 шт. — 136 руб.

от 500 шт. — 105.11 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004652717

Артикул: XP161A1265PR-G

Бренд: TOREX Semiconductor LTD

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand:	Torex Semiconductor
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	40 ns
Id - Continuous Drain Current:	4 A
Manufacturer:	Torex Semiconductor
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-89-3
Pd - Power Dissipation:	2 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance:	95 mOhms
Rise Time:	15 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	55 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	700 mV
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.042Ом
Power Dissipation	2Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	XP161
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	4А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1.4В
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.042Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-89
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.13