Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ
erid: LjN8KJZnZ
MR2A08AYS35, MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
152 шт., срок 6-8 недель
7 920 руб.
от 10 шт. —
6 630 руб.
от 25 шт. —
5 940 руб.
от 50 шт. —
5 764.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 920 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\MRAM
MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAMEverspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4.194.304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524.288 words of 8 bits.
Технические параметры
| Access Time: | 35 ns |
| Brand: | Everspin Technologies |
| Data Bus Width: | 8 bit |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 135 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Everspin Technologies |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Supply Current: | 50 mA |
| Organization: | 512 k x 8 |
| Package / Case: | TSOP-44 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | MRAM |
| Product Type: | MRAM |
| Series: | MR2A08A |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 3 V |
| Вес, г | 5.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 816 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
