2N5954, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 710 руб.
от 25 шт. —
10 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 710 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Технические параметры
RoHS | N |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 90 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | TO-66-2 |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары