APT12057B2LLG, MOSFET MOSFET MOS7 1200 V 57 Ohm TO-247 MAX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 190 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор FG, МОП-транзистор,1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
Pd - рассеивание мощности | 690 W |
Qg - заряд затвора | 290 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 570 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 20 ns |
Время спада | 21 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | Microchip / Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | T-MAX-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet APT12057B2LLG
pdf, 944 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары