Jan2N2369A, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 220 руб.
от 25 шт. —
1 090 руб.
от 100 шт. —
961 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 220 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Microchip/Microsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 15 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 40 at 10 mA, 350 VDC |
DC Current Gain hFE Max: | 120 at 10 mA, 350 VDC |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 4.5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-18-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары