Jan2N2369A, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Jan2N2369A, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 220 руб.
от 25 шт.1 090 руб.
от 100 шт.961 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 220 руб.
Номенклатурный номер: 8004670931
Артикул: Jan2N2369A

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Microchip/Microsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 15 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 40 at 10 mA, 350 VDC
DC Current Gain hFE Max: 120 at 10 mA, 350 VDC
Emitter- Base Voltage VEBO: 4.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1
Manufacturer: Microchip
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-18-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 2

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов