STGF20H60DF, IGBT Transistors 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
777 шт., срок 6-8 недель
750 руб.
от 10 шт. —
570 руб.
от 100 шт. —
444 руб.
от 250 шт. —
412.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 750 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 FP |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 37 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGF20H60DF |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1829 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
