STGP10M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

843 шт., срок 6-8 недель

370 руб.

от 10 шт. — 290 руб.

от 100 шт. — 251 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004673219

Артикул: STGP10M65DF2

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STGP10M65DF2
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Channel Type	N
Energy Rating	0.66mJ
Gate Capacitance	840pF
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	20 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	115 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	650
Maximum Continuous Collector Current (A)	20
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	250
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	115
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220AB
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Technology	Field Stop\|Trench
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	1.55
Вес, г	2