STGW20V60F, IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

475 шт., срок 6-8 недель

1 110 руб.

от 10 шт. — 860 руб.

от 25 шт. — 674 руб.

от 100 шт. — 532.22 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 110 руб.

Номенклатурный номер: 8004673221

Артикул: STGW20V60F

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop

Pd - рассеивание мощности	167 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	600
Серия	STGW20V60F
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	20 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	167 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	38