STGWA50HP65FB2, IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
391 шт., срок 7-9 недель
850 руб.
от 25 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
478 руб.
от 250 шт. —
425.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Альтернативные предложения3
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 86А |
Power Dissipation | 272Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HB2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet STGWA50HP65FB2
pdf, 537 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары