STGWA50HP65FB2, IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT

STGWA50HP65FB2, IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
391 шт., срок 7-9 недель
850 руб.
от 25 шт.620 руб.
от 100 шт.478 руб.
от 250 шт.425.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8004673228
Артикул: STGWA50HP65FB2
Бренд: STMicroelectronics

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 86А
Power Dissipation 272Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HB2
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247LL
Вес, г 6.1

Техническая документация

Datasheet STGWA50HP65FB2
pdf, 537 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.