STGWA50IH65DF, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
839 шт., срок 7-9 недель
1 370 руб.
от 10 шт. —
1 070 руб.
от 100 шт. —
781 руб.
от 600 шт. —
644.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 370 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M предлагают оптимизированный компромисс между VCE (SAT) и E (выкл.), А также надежный рейтинг короткого замыкания. Ознакомьтесь с полным ассортиментом полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любых силовых схем.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 300 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | HB2 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 100А |
Power Dissipation | 300Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | IH |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 296 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары