STL128D, Bipolar Transistors - BJT High volt fast switching NPN power transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1492 шт., срок 6-8 недель
330 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 100 шт. —
187 руб.
от 500 шт. —
148.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT High voltage fast switching NPN power transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 65 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 18 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STL128D |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 1.8 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары