IGB10N60T, IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
251 руб.
от 500 шт. —
198.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 24 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IGB1N6TXT SP000456678 IGB10N60TATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | TRENCHSTOP IGBT |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 1.56 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 589 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![IRGB4056DPBF, Транзистор IGBT 600В 24А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![MSG30D120FLB, Транзистор IGBT 1200В 30А 342Вт [TO-3PB]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
