Главная › Электронные компоненты › Конденсаторы › Керамические Чип - SMD › Toshiba › TK16N60W,S1VF, MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm ...

TK16N60W,S1VF, MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

39 шт., срок 6-8 недель

840 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 840 руб.

Номенклатурный номер: 8004726892

Артикул: TK16N60W,S1VF

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзисторы серии DTMOSIV

МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV используют современный одинарный эпитаксиальный процесс, который обеспечивает снижение R DS (on) на 30%, что является показателем качества ( FOM) для полевых МОП-транзисторов, по сравнению со своим предшественником, DTMOSIII. Это уменьшение R DS (on) позволяет размещать микросхемы с более низким R DS (on) в одних и тех же корпусах. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размер источников питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подходят для использования с импульсными регуляторами.

Технические параметры

Номинальная емкость	1350
Единица измерения	пФ
Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Fall Time:	5 ns
Id - Continuous Drain Current:	15.8 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	130 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	38 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	160 mOhms
Rise Time:	25 ns
Series:	TK16N60W
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	DTMOSIV
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	100 ns
Typical Turn-On Delay Time:	50 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.7 V
Вес, г	6