Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BUK765R0-100E,118, MOSFET BUK765R0-100E/ ...

BUK765R0-100E,118, MOSFET BUK765R0-100E/ SOT404/D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3957 шт., срок 6-8 недель

1 140 руб.

от 10 шт. — 880 руб.

от 25 шт. — 843 руб.

от 100 шт. — 645.05 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 140 руб.

Номенклатурный номер: 8004727497

Артикул: BUK765R0-100E,118

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор полевой N-MOSFET BUK765R0-100E,118 от производителя NEXPERIA — это высокопроизводительный компонент для SMD-монтажа. Он характеризуется током стока до 120 А при напряжении сток-исток 20 В и мощностью 357 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0039 Ом. Благодаря корпусу D2PAK, этот транзистор отличается улучшенным теплоотводом и надежностью. Эффективность и минимальное сопротивление делают его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, включая силовую электронику и управление моторами. Для заказа используйте код BUK765R0100E118 без пробелов и специальных символов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	120
Напряжение сток-исток, В	20
Мощность, Вт	357
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0039
Корпус	D2PAK

Технические параметры

Brand:	Nexperia
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	800
Id - Continuous Drain Current:	120 A
Manufacturer:	Nexperia
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	D2PAK-3
Part # Aliases:	934066494118
Pd - Power Dissipation:	357 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	180 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	5 mOhms
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Вес, г	445