2N6292G, Bipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W NPN

Фото 1/4 2N6292G, Bipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
320 руб.
от 10 шт.240 руб.
от 100 шт.181 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8004738236
Артикул: 2N6292G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
The ON Semiconductor 2N6292 is the devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications.

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 70 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 7 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 50
Gain Bandwidth Product fT: 4 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 7 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 40 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
REACH - SVHC: Details
Series: 2N6292
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Voltage 70 V
Maximum DC Collector Current 7 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 40 W
Minimum DC Current Gain 30
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 106 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 122 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов