NSVJ6904DSB6T1G, JFET JFET -25V, 20 TO 40MA DUA

Фото 1/2 NSVJ6904DSB6T1G, JFET JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
от 10 шт.180 руб.
от 100 шт.143 руб.
от 500 шт.109.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 8004739189
Артикул: NSVJ6904DSB6T1G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET

Технические параметры

Brand: onsemi
Configuration: Dual
Drain-Source Current at Vgs=0: 40 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 40 mS
Gate-Source Cutoff Voltage: -1.2 V
Id - Continuous Drain Current: 4.5 A
Manufacturer: onsemi
Maximum Drain Gate Voltage: 25 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: CPH-6
Pd - Power Dissipation: 400 mW
Product Category: JFET
Product Type: JFETs
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 78 mOhms
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: -25 V
Channel Type N Channel
Gate Source Breakdown Voltage Max -25В
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 6 Выводов
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) -1.8В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) 40мА
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) 20мА
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора CPH
Тип Транзистора JFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.361

Техническая документация

Datasheet
pdf, 230 КБ
Datasheet NSVJ6904DSB6T1G
pdf, 165 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов