2N2904, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT _ TO-39
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 790 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| RoHS | N |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 175 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
