2N2905Ae3, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 370 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 600 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 75 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-39-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 645 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
