2N3507, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 280 руб.

от 25 шт. — 6 030 руб.

от 100 шт. — 5 600 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 280 руб.

Номенклатурный номер: 8004809123

Артикул: 2N3507

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	1 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35 at 500 mA at 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	175 at 500 mA at 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-39-3
Вес, г	1