Dual Small-Signal Bjt To-78 Rohs Compliant: Yes |Microchip 2N3810A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 630 руб.
от 10 шт. —
4 630 руб.
от 25 шт. —
4 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 630 руб.
Описание
Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
RoHS | N |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 100 uA at 5 VDC |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 100 uA at 5 VDC |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-78-6 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары