2N4300, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 130 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 130 руб.

Номенклатурный номер: 8004809139

Артикул: 2N4300

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	26 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	30 MHz
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-39-3
Вес, г	1.849