2N5152, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 010 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 010 руб.

Номенклатурный номер: 8004809144

Артикул: 2N5152

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	1 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 2.5 A, 5 VDC
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	90 at 2.5 A, 5 VDC
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	750 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5.5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-39-3
Вес, г	1