2N5430, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 400 руб.

от 25 шт. — 10 490 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 400 руб.

Номенклатурный номер: 8004809148

Артикул: 2N5430

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	700 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-66-2
Вес, г	8.025