APT100GLQ65JU2, IGBT Modules CC0101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 180 руб.
от 25 шт. —
6 330 руб.
от 100 шт. —
5 880 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 180 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 430 W |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | ISOTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 165 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 150 nA |
Торговая марка | Microchip / Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet APT100GLQ65JU2
pdf, 387 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов