APT100GT120JRDQ4, IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 520 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 520 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 123 A |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | ISOTOP-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 570 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | SiC |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
